都不是。OE750使用先進的CMOS檢測器，CMOS檢測器是基于半導(dǎo)體的傳感器（與CCD檢測器的情形相同）。與光電倍增管（PMT）系統(tǒng)相比，基于半導(dǎo)體的系統(tǒng)更具優(yōu)勢，因為其涵蓋更廣泛的波長范圍，由此適用于更多元素。雖然PMT技術(shù)可實現(xiàn)在低靈敏度時的優(yōu)良檢出限，但每臺傳感器僅可涵蓋有限的波長。這意味著您需要在一臺光譜儀中使用多個PMT檢測器以涵蓋更廣泛范圍內(nèi)的元素，而增加額外的性能意味著增加額外的檢測器，這將導(dǎo)致成本增加，甚至由于此類檢測器的幾何尺寸太大而無法將其添加至光學(xué)系統(tǒng)中。

由于CMOS檢測器具有比標準CCD技術(shù)更高的分辨率和更廣的動態(tài)范圍，因此使用CMOS檢測器可帶來更好的分析性能——正如在OE750中所見的情形一樣。這意味著在金屬分析中，我們可涵蓋整個波長范圍：從119nm到766nm，這包括從氫到鈾的所有元素（取決于應(yīng)用領(lǐng)域和基體）。

簡而言之，CMOS檢測器可同時為您提供這兩種技術(shù)的優(yōu)勢：您可獲得PMT所提供的極低檢出限和同等靈敏度，以及CCD所提供的全光譜范圍。

就上述所有基體而言，每次激發(fā)的標準檢測時間均在15秒以下。以下舉例說明：

鋁基體：每次激發(fā)14.5秒。

鋼基體：每次激發(fā)12.5秒。

其他基體：每次激發(fā)11-12秒。

OE750的設(shè)計支持輪班制工作，即24/7輪班制；同時，如果我們假設(shè)每件樣品激發(fā)兩次，則每天可完成數(shù)百個樣品分析。

但是，維護工作將對此產(chǎn)生影響。您需要清理火花臺的頻率取決于基體。如果是鋼基體，我們建議每2000次激發(fā)后清潔一次；如果是鋁基體，我們建議每1000次激發(fā)后清潔一次。這是因為材料的熔點越低，在激發(fā)過程中沉積的材料就越多，由此將縮短清潔的時間間隔。通過無光纖的直接光路，可盡可能減少OE750的維護工作（以及故障停機時間）。但是，如果您需要大量、連續(xù)使用光譜儀，則我們建議我們的服務(wù)團隊每年至少為您提供一次服務(wù)，以清理和維護您的光譜儀。

這取決于您所開展檢測的次數(shù)；但是如果我們模擬幾種場景，我們可以計算出一年的氬氣使用量。

氬氣的恒流定量消耗為12 L / h且分析流量為50 L / h。假設(shè)我們正在檢測鋼，則檢測時間為12.5秒。對于第一種場景，我們假設(shè)每天激發(fā)100次、每年工作200天且系統(tǒng)24小時處于待機狀態(tài)。則在此種情況下，您每年需要六瓶50 L/ 200 bar的氬氣。

如果您每天測量300件樣品，同時所有其他因素保持不變，則您需要七瓶氬氣。

我們需要說明的是，由于OE750使用具備低氬氣流吹掃功能的*中壓系統(tǒng)，因此用于光學(xué)潔凈度的氬氣使用量非常低。這意味著我們可使用無油隔膜泵，以降低污染物進入光室的風(fēng)險。

因此，當您購買光譜儀時，您還應(yīng)考慮運營成本，原因是運營成本很容易對總投資產(chǎn)生重大影響。

這取決于光譜儀的初始狀態(tài)。例如，針對交付后*安裝的光譜儀，氬氣凈化光室將耗時12個小時。（我們將其稱為運行完整的泵循環(huán)）。但是，光譜儀一旦安裝后，您應(yīng)確保您的系統(tǒng)處于待機模式——這可確保光室始終被氬氣包圍。

但是，現(xiàn)在讓我們看一下可能會關(guān)閉光譜儀的情況：

周末關(guān)閉光譜儀，但有氬氣流

您需要運行泵短循環(huán)（將耗時15分鐘），并對激發(fā)樣品進行五次檢測（例如，鐵基中激發(fā)樣品是RE12）。該步驟對于獲得良好的激發(fā)斑點并使氬氣重新激活至火花臺而言是必需的。

周末關(guān)閉光譜儀，但沒有氬氣流

與上一種有氬氣流的情況*一致。但是，我們強烈建議您在每次關(guān)閉光譜儀后使用為該程序提供的檢查樣品樣進行潔凈度測試。您很容易就能完成該檢查，且耗時不到一分鐘。

假期關(guān)閉光譜儀

在此種情況下，您應(yīng)運行12小時的泵長循環(huán)，同時您應(yīng)進行潔凈度測試并檢查激發(fā)樣品以確認激發(fā)斑點。

是的，這確實會影響分析準確度。與覆蓋14 mm完整火花臺孔徑的樣品相比，精確度和準確度存在細微偏差。產(chǎn)生這種偏差的原因在于空氣進入火花間隙，從而造成干擾。OE750具有*的噴射氣流技術(shù)，該技術(shù)可大程度地降低此類干擾的影響，但是隨著直徑的減小，來自周圍空氣的干擾的作用更大。

另一個問題是氮和硼是氮化硼墊片本身的一部分，因此無法分析氮和硼。我們目前正在研發(fā)氮化硼的替代品，以便可以分析氮和硼。但是很遺憾，分析氮氣的問題仍未解決，因為從周圍空氣中通過火花臺間隙而進入設(shè)備的氮氣含量過多。