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| 應用領域 | 綜合 |
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?主要技術參數：
1. 為箱體和電源分離式，單筆測試,內置四種電**
（同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形）。
2.規格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。
3.同心圓和其他電**印有坐標格規格為1mm.
4.微晶導電層的均勻性
產品簡介
詳細介紹
模擬靜電場描繪儀 型號：GVZ-4
模擬靜電場描繪儀
主要技術參數：
1. 為箱體和電源分離式，單筆測試,內置四種電**
（同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形）。
2.規格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。
3.同心圓和其他電**印有坐標格規格為1mm.
4.微晶導電層的均勻性，實驗值誤差為小于2%。
5.電源輸出范圍（直流）為7.00v—13.00V，分辨率為0.01V (配三位半數碼管)。
6.采用多圈電位器調節電壓，調節細度可達0.01V。
應承受250g正負50g的力摩擦2萬次，膜層電阻阻值變化0.3%，對導電微晶無磨損。
1. 為箱體和電源分離式，單筆測試,內置四種電**
（同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形）。
2.規格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。
3.同心圓和其他電**印有坐標格規格為1mm.
4.微晶導電層的均勻性，實驗值誤差為小于2%。
5.電源輸出范圍（直流）為7.00v—13.00V，分辨率為0.01V (配三位半數碼管)。
6.采用多圈電位器調節電壓，調節細度可達0.01V。
應承受250g正負50g的力摩擦2萬次，膜層電阻阻值變化0.3%，對導電微晶無磨損。
1. 為箱體和電源分離式，單筆測試,內置四種電**
（同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形）。
2.規格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。
3.同心圓和其他電**印有坐標格規格為1mm.
4.微晶導電層的均勻性，實驗值誤差為小于2%。
5.電源輸出范圍（直流）為7.00v—13.00V，分辨率為0.01V (配三位半數碼管)。
6.采用多圈電位器調節電壓，調節細度可達0.01V。
應承受250g正負50g的力摩擦2萬次，膜層電阻阻值變化0.3%，對導電微晶無磨損。
