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量子點(diǎn)

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水溶性CuInS/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射600±20nm）參考價(jià)：面議
水溶性CuInS2/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CuInS2為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為30%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射...
型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

水溶性CuInSZnS 量子點(diǎn)發(fā)射600InP

2024/9/19 15:57:49453
水溶性CuInS/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射550±20nm）參考價(jià)：面議
水溶性CuInS2/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CuInS2為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為30%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射...
型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

水溶性CuInSZnS 量子點(diǎn)發(fā)射550InP

2024/9/19 15:52:30493
水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射750±10nm）參考價(jià)：面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

水溶性氨基PEGZnS量子點(diǎn)發(fā)射750InP

2024/9/19 15:18:44459
水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射700±10nm）參考價(jià)：面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

氨基PEG水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)ZnS量子點(diǎn)發(fā)射700

2024/9/19 15:14:23406
水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射650±10nm）參考價(jià)：面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

水溶性氨基PEGInP/ZnS量子點(diǎn)ZnS量子點(diǎn)發(fā)射650

2024/9/19 15:10:28447
水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射620±10nm）參考價(jià)：面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

水溶性氨基PEGInPZnS量子點(diǎn)發(fā)射620

2024/9/19 15:03:51382
水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射600±10nm）參考價(jià)：面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

氨基PEG水溶性InPZnS量子點(diǎn)發(fā)射600

2024/9/19 14:41:43409
水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射580±10nm）參考價(jià)：面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

水溶性氨基PEGInPZnS量子點(diǎn)發(fā)射580

2024/9/19 14:38:05412
水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射550±10nm）參考價(jià)：面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

氨基PEG水溶性InPZnS量子點(diǎn)發(fā)射550

2024/9/19 14:34:40344
水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射520±10nm）參考價(jià)：面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

水溶性氨基PEGInPZnS量子點(diǎn)發(fā)射520

2024/9/19 14:01:32408
水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射750±10nm）參考價(jià)：面議
本產(chǎn)品具有粒徑均一，吸收光譜寬泛，發(fā)射光譜窄而對(duì)稱(chēng)，熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。目前可提供表面為羧基或者氨基，3-巰基丙酸（MPA）和PEG作為包覆劑。水溶性羧基P...
型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

羧基PEG水溶性InPZnS量子點(diǎn)發(fā)射750

2024/9/19 13:44:08385
水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射700±10nm）參考價(jià)：面議
本產(chǎn)品具有粒徑均一，吸收光譜寬泛，發(fā)射光譜窄而對(duì)稱(chēng)，熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。目前可提供表面為羧基或者氨基，3-巰基丙酸（MPA）和PEG作為包覆劑。水溶性羧基P...
型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

水溶性羧基PEGInPZnS量子點(diǎn)發(fā)射700

2024/9/19 13:38:36359
水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射650±10nm）參考價(jià)：面議
本產(chǎn)品具有粒徑均一，吸收光譜寬泛，發(fā)射光譜窄而對(duì)稱(chēng)，熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。目前可提供表面為羧基或者氨基，3-巰基丙酸（MPA）和PEG作為包覆劑。水溶性羧基P...
型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

水溶性羧基PEGInP/ZnS量子點(diǎn)發(fā)射650發(fā)射620

2024/9/19 13:00:34372
水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射620±10nm）參考價(jià)：面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

水溶性羧基PEGInPZnS量子點(diǎn)發(fā)射620

2024/9/18 16:44:11383
水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射600±10nm）參考價(jià)：面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

水溶性羧基PEGInPZnS量子點(diǎn)發(fā)射600

2024/9/18 16:40:41357
水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射580±10nm）參考價(jià)：面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

水溶性羧基PEGInPZnS量子點(diǎn)發(fā)射580

2024/9/18 15:41:43416
水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射550±10nm）參考價(jià)：面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

水溶性羧基PEGInPZnS量子點(diǎn)發(fā)射550

2024/9/18 14:50:54345
水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射520±10nm）參考價(jià)：面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

水溶性羧基PEGInPZnS量子點(diǎn)發(fā)射520

2024/9/18 11:50:54379
水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射750±10nm）參考價(jià)：面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

水溶性3-巰基丙酸InPZnS量子點(diǎn)發(fā)射750

2024/9/18 11:42:58350
水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射700±10nm）參考價(jià)：面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

水溶性3-巰基丙酸InPZnS量子點(diǎn)發(fā)射700

2024/9/18 11:36:55357
水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射650±10nm）參考價(jià)：面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

3-巰基丙酸水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)發(fā)射650InP

2024/9/18 10:40:23437
水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射620±10nm）參考價(jià)：面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

3-巰基丙酸水溶性ZnS量子點(diǎn)發(fā)射620InP

2024/9/18 10:22:17373
水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射600±10nm）參考價(jià)：面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

3-巰基丙酸水溶性InP/ZnSZnS量子點(diǎn)發(fā)射600

2024/9/18 9:50:27367
水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射580±10nm）參考價(jià)：面議
水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

3-巰基丙酸水溶性ZnS量子點(diǎn)發(fā)射580InP

2024/9/14 15:45:30410

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