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水溶性CdTe/CdS 量子點（發射640±10nm） 參考價：面議
水溶性CdTe/CdS量子點產品是以CdTe為核心，CdS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產率為50%，儲存時應避免陽光直射，4度密...
水溶性CdTe/CdS 量子點（發射620±10nm） 參考價：面議
水溶性CdTe/CdS量子點產品是以CdTe為核心，CdS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產率為50%，儲存時應避免陽光直射，4度密...
水溶性CdTe/CdS 量子點（發射600±10nm） 參考價：面議
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水溶性CdTe/CdS 量子點（發射580±10nm） 參考價：面議
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水溶性CdTe/CdS 量子點（發射560±10nm） 參考價：面議
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水溶性CdTe/CdS 量子點（發射540±10nm） 參考價：面議
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水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點（發射660±10nm） 參考價：面議
水溶性CdSe/ZnS量子點產品是以CdSe為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產率為70%，儲存時應避免陽光直射，4度密...
水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點（發射640±10nm） 參考價：面議
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水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點（發射620±10nm） 參考價：面議
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水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點（發射600±10nm） 參考價：面議
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水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點（發射580±10nm） 參考價：面議
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水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點（發射560±10nm） 參考價：面議
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水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點（發射540±10nm） 參考價：面議
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水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點（發射520±10nm） 參考價：面議
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水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點（發射480±10nm） 參考價：面議
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水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點（發射660±10nm） 參考價：面議
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水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點（發射600±10nm 參考價：面議
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水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點（發射580±10nm） 參考價：面議
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水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點（發射520±10nm） 參考價：面議
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水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點（發射500±10nm） 參考價：面議
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