產(chǎn)品分類 品牌分類

光催化及光敏材料測試設(shè)備

光催化專用太陽光模擬器高準(zhǔn)直紫外光源
鈣鈦礦LED/OLED測試設(shè)備

發(fā)光效率測量系統(tǒng) 光譜分析系統(tǒng) 光電性能測量系統(tǒng)
日本SAN-EI 太陽光模擬器

LED太陽光模擬器 AAA+級雙光太陽光模擬器 AAA太陽光模擬器 150W 太陽光模擬器聚光太陽光模擬器太陽能電池IV性能測試儀太陽能電池組件測試儀太陽能電池測試多通道太陽能電池穩(wěn)定性測試 OLED模擬軟件太陽能電池穩(wěn)定性測試太陽能電池載流子測試光纖太陽光模擬器光譜響應(yīng)/量子效率量測儀全光譜太陽光模擬器太陽能電池量子效率測試系統(tǒng) AAA級太陽光模擬器雙燈太陽光模擬器穩(wěn)態(tài)太陽光模擬器瞬態(tài)光電流/光電壓測試系統(tǒng) 太陽能電池載流子測試設(shè)備載流子擴(kuò)散長度測試系統(tǒng)
薄膜性能測試設(shè)備

薄膜應(yīng)力測試儀薄膜熱應(yīng)力測量系統(tǒng) 薄膜生長速率測試儀薄膜/涂層殘余應(yīng)力儀電池電極應(yīng)力測試系統(tǒng) 薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng) 原位薄膜應(yīng)力測試儀薄膜應(yīng)力測試系統(tǒng) kSA BandiT實(shí)時襯底溫度測試儀 kSA 400 RHEED分析系統(tǒng) 反射高能電子衍射儀 RHEED 應(yīng)力測量系統(tǒng)
共聚焦顯微鏡

電化學(xué)反應(yīng)共聚焦系統(tǒng) 三維光學(xué)共聚焦顯微鏡三維表面輪廓儀
激光光束質(zhì)量分析儀

激光質(zhì)量分析儀 UV光束分析儀 Shack-Hartmann波前傳感器 EUV/XUV波前傳感器波前曲率傳感器光熱弱吸收測量儀高功率激光材料測試儀大光斑激光光束分析儀高功率激光光束分析儀激光光束分析儀
納米材料制備設(shè)備

石墨烯制備系統(tǒng)（CVD）噴霧熱解成膜系統(tǒng) 碳納米管CVD制備系統(tǒng) 原子層沉積系統(tǒng) 卷對卷涂布系統(tǒng) 涂布機(jī)
微納米加工設(shè)備

桌面型激光直寫系統(tǒng) 臺式無掩膜光刻系統(tǒng) 納米壓印系統(tǒng)
介電/壓電材料測試設(shè)備

電卡效應(yīng)測試儀高溫介電測試系統(tǒng) 熱釋電測試儀熱刺激電流測試儀精密壓電系數(shù)測試儀高分子壓電系數(shù)測試儀高場寬頻譜介電測量系統(tǒng) 低溫寬頻介電測量系統(tǒng) 電滯回線及高壓介電擊穿強(qiáng)度測試系統(tǒng) 高壓漏電流及熱釋電測量系統(tǒng) 電容充放電測試儀
太陽能電池測試設(shè)備

瞬態(tài)光電壓測試瞬態(tài)光電流測試太陽能電池老化測試太陽能電池老化壽命測試儀鈣鈦礦太陽能電池測試儀太陽能電池單體測試儀太陽能電池測試夾具太陽能電池IV測試軟件
氙燈電源
高純度鈣鈦礦前驅(qū)體材料
其他相關(guān)設(shè)備

化學(xué)所李永舫等人Nat. Commun.: 巨分子受體的精確合成及其光伏特性

閱讀：988 發(fā)布時間：2023/12/13

主要內(nèi)容

在這篇文章中，化學(xué)所李永舫等人采用分步合成的方法合成了一系列具有兩個、三個和四個小分子受體亞基的巨分子受體DY、TY和QY，系統(tǒng)研究了亞基數(shù)量對小分子受體YDT到巨分子受體和聚合小分子受體PY-IT的結(jié)構(gòu)-性質(zhì)關(guān)系的影響。在這些基于受體的器件中，基于TY的薄膜顯示出適當(dāng)?shù)慕o體/受體相分離、更高的電荷轉(zhuǎn)移態(tài)產(chǎn)率和更長的電荷轉(zhuǎn)移狀態(tài)壽命。結(jié)合更高的電子遷移率、更有效的激子離解和更低的電荷載流子復(fù)合特性，基于TY的器件表現(xiàn)出高達(dá)16.32%的功率轉(zhuǎn)換效率。

研究結(jié)果表明，這些受體中的亞基數(shù)量對其光伏性能有顯著影響。這種分步合成巨分子受體的方法將有利于使其結(jié)構(gòu)多樣化，并促進(jìn)其在高效穩(wěn)定有機(jī)太陽能電池中的應(yīng)用。

圖1. 巨分子受體材料的設(shè)計與合成

圖2.受體的材料表征

圖3.受體的器件性能

其中線性增壓載流子抽取Photo-CELIV由巨力光電代理的Paios太陽能電池&OLED瞬態(tài)特性測試系統(tǒng)獲得。在Photo-CELIV測量中，延遲時間設(shè)置為0s，光強(qiáng)度為100%，光脈沖長度為100µs，最終掃描斜坡速率從20 V/ms上升到100 V/ms。