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    去離子水是控制半導體產業污染的核心物質,而且是利用電感耦合等離子體質譜儀(Inductively Coupled Plasma-Mass Spectromer)進行超痕量分析的基本的物質。幾乎所有ICP-MS的分析試樣均以水為基液，如果該基液的基本雜質含量較高，那么即便ICP-MS分析儀本身的檢測能力再強,分析也會受到限制。因此,超痕量分析基本的去離子水的質量必須是污染控制實驗室的重中之重。 

 

    0.1ppt(pg/mL)水平的超痕量檢測依舊是ICP-MS面臨的難題,為了打破這一局面而開發出了采用濃縮預處理的去離子水分析法。去離子水濃縮分析法是在整個預處理過程中，在控制外界污染的前提下,使去離子水中所含雜質的濃度達到高出ICP-MS檢測能力的過程，控制外界污染非常艱難,而且費用龐大、耗時長,除了一些潔凈度非常高的實驗室, -般操作起來會受到限制。

    本研究的目的是檢驗是否可用ICP-MS直接分析定量去離子水，來管理半導體行業實驗室的去離子水質量。