半導體檢測

半導體是許多電子設備的基本組件。半導體制造可分為兩個過程 - 電路形成和封裝。電路形成始于硅錠。用于形成電路的晶圓由這些硅錠制成，然后將這些“裸晶圓”切成圓片。
要創建電路，先對裸晶圓進行氧化，然后在其上形成復雜的微觀電路，這是個重復過程，包括應用光刻膠涂覆、圖案印刷、蝕刻、雜質擴散和平面化。其中的每一階段都可能會給電路引入缺陷。常見缺陷包括不規則或不均勻的保護層涂層、缺陷和異物。
檢測過程中的挑戰
由于晶圓生產迅速且數量多，因此通常使用自動化系統對其進行檢測。但是，這些系統的光學分辨率可能不足，從而使系統難以識別小的缺陷。因此，使用顯微鏡進行目測是優選方法，因其提供多種觀察方法：
· 明場 (BF)
· 暗場 (DF)
· 微分干涉對比 (DIC)
· MIX（明場和暗場的組合）
· 偏光 (PO)
使用這些方法，檢測人員能夠選擇*能突出不易看清缺陷的方法。但是，此過程仍具有挑戰性，因為檢測人員必須知道*適合發現給定缺陷的觀察方法。否則，檢測人員必須花費大量時間嘗試各種方法以找到*佳方法。為簡化檢測過程，許多制造商已從使用光學顯微鏡轉換為使用數字式顯微鏡。雖然這可以在一定程度上簡化過程，但大多數數字式顯微鏡仍要求用戶每次更換觀察方法時更換鏡頭。而且，更換鏡頭時，觀察位置很容易改變，從而迫使您花時間重新對焦。

使用DSX1000數字式顯微鏡簡化半導體檢測

使用光學顯微鏡時，如要更改觀察方法，則必須在顯微鏡上加上或去掉濾光片。

大多數數字式顯微鏡均無法使用單個鏡頭執行所有觀察，因此需要對其予以更換， 從而導致觀察位置發生偏移。

操作簡便的控制臺

DSX1000顯微鏡的多功能控制臺可實現快速、平穩的分析。通過按下控制臺上的按鈕或單擊用戶界面，即可查看縮略圖顯示，其中顯示六種觀察方法下的樣品。這樣即可輕松選擇適用于您應用的*佳圖像，從而縮短檢測時間。

一種物鏡可應對大多數觀察方法
DSX1000的大多數物鏡支持所有觀察方法，因此檢測和分析晶圓缺陷時，您可以快速確認和選擇各觀察圖像。
*為保證XY精度，必須由奧林巴斯服務技術人員進行校準。
圖像
示例：檢測晶圓上的缺陷（缺陷位于盒中）
下圖顯示的是一個典型用例。在某些觀察條件下，幾乎無法發現難以看清的缺陷。過去，檢測人員需要花很長時間嘗試各種觀察方法，直至找到合適的觀察方法為止。

這種缺陷難以發現，因其與背景融合。

明場觀察：低放大倍率（70X）缺陷檢測 
使用暗場，缺陷稍微容易發現，但除非您仔細注意，否則仍很難發現。
 

暗場觀察：低放大倍率（70X）缺陷檢測 
使用微分干涉對比，可清楚地識別缺陷。
 

微分干涉觀察：低放大倍率（70X）缺陷檢測