實驗名稱:MEMS的動態(tài)應力測試
測試設備:電壓放大器、計算機、高精度CCD、Renishaw拉曼光譜儀、光學顯微鏡、高精度三維程控平臺、LM0202光電調(diào)制器、514nm氬離子激光源、自行研制的同步信號發(fā)生器等。
實驗過程:

圖1:基于拉曼光譜儀的微結(jié)構(gòu)動態(tài)應力測試系統(tǒng)簡圖
搭建如上圖所示的測試系統(tǒng),在測試系統(tǒng)中,經(jīng)過放大的正弦信號來驅(qū)動硅微諧振器,和正弦信號同頻率的脈沖信號經(jīng)過放大后驅(qū)動光電調(diào)制器來調(diào)制激光光束,當給光電調(diào)制器施加一等于其半波電壓的高電平時,激光光束幾乎可以通過,然而,當給激光調(diào)制器施加一低電平時,幾乎沒有激光可以通過光電調(diào)制器,消光比可以達到1/100,足以滿足實驗的需要。因此,測試中利用脈沖信號通過光電調(diào)制器調(diào)制激光光源產(chǎn)生非連續(xù)激光來照射樣品,繼而發(fā)生拉曼散射現(xiàn)象,拉曼散射光經(jīng)光學顯微系統(tǒng)由CCD采集其信息傳輸至PC機,由軟件處理所采集到的拉曼光譜得出相應的動態(tài)應力信息。

圖2:測試系統(tǒng)的誤差分析圖
由于拉曼測試系統(tǒng)受環(huán)境影響大,測試前首先應用標準硅樣品(標準Si樣品的拉曼頻移為520cm-1)對測試系統(tǒng)進行了誤差測試(測試條件:環(huán)境溫度290K,每隔60秒記錄一次拉曼光譜,每條譜線記錄15秒,共測試10分鐘)。圖2為該測試方法的隨機誤差分析圖:在測試時間范圍內(nèi)拉曼頻移的最大不確定性為±0.02cm-1,根據(jù)公式可以得出此測試系統(tǒng)的應力測試誤差約為±10MPa。
實驗結(jié)果:

圖3:拉曼頻移與調(diào)制頻率的關(guān)系

圖4:拉曼光譜能量強度與調(diào)制信號占空比的關(guān)系
以標準硅為測試對象對拉曼頻移及拉曼光譜的能量強度隨調(diào)制頻率改變的響應進行了測試,測試結(jié)果如圖3、4所示,通過對測試結(jié)果的分析可知,拉曼頻移不受調(diào)制頻率的影響,而拉曼光譜的峰值能量強度與調(diào)制信號的占空比成正比。證明此測試系統(tǒng)可以滿足動態(tài)應力的測試需要。
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圖:ATA-2048高壓放大器指標參數(shù)
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