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| 產(chǎn)地類別 | 進口 | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,電子/電池,包裝/造紙/印刷,電氣 |
該儀器：尺寸小巧，使用風冷、無須水冷，電流要求不高（3安培），性價比高，使用方便，非常適合科研院所的科研使用。
產(chǎn)品簡介
詳細介紹
RTP-1200快速退火爐
該儀器：尺寸小巧，使用風冷、無須水冷，電流要求不高(3安培)，性價比高，使用方便，非常適合科研院所的科研使用。
技術(shù)規(guī)格：
- 加熱方式：紅外鹵素燈，600W；
- 紅外燈數(shù)量：4支；
- 升溫速率：100℃/秒；
- 降溫速率：50秒(1000℃ → 400℃)；
- 溫度：1200℃；
- 溫度精度：+/-0.3℃
- 大樣品尺寸：15 x 20mm；
- 退火環(huán)境：真空、惰性氣體、空氣、其他工藝氣氛(如氧氣、氫氮混合氣等)；
- 真空泵及極限壓力：機械泵，10-3Torr水平(選配)；
- 電壓：220 V，單相；
- 儀器尺寸：400*300*450mm (W*D*H)；
- 質(zhì)量：凈重30Kg；
RTP-1200快速退火爐
儀器特點：
- 可在真空/不同氣氛/空氣不同環(huán)境下，對樣品進行快速熱處理；
- 溫控精度高；
- 無須配置冷水機；
- 無須使用三相電，普通實驗室單相電即可使用；
- 緊湊的臺式設(shè)計；
- 儀器操作方便，樣片裝取容易；
- 適合高校或研究所科研使用；
- 價格合理，高性價比；
應(yīng)用領(lǐng)域：
- 快速熱退火 (Rapid Thermal Annealing, RTA);
- 快速熱氧化 (Rapid Thermal Oxidation, RTO);
- 快速熱氮化 (Rapid Thermal Nitridation, RTN);
- 硅化 (Silicidation);
- 擴散 (Diffusion);
- 化合物半導體退火 (Compound Semiconductor Annealing);
- 離子注入后退火 (Implant Annealing);
- 電極合金化 (Contact Alloying);
- 晶體化和致密化 (Crystallization and Densification);
- 合金熔點分析；
- 薄膜沉積；
- 等等…
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